The design, simulation and measurement results on a highly linear single-ended Class B PA based on GaN RF power devices have been presented.
High Linearity Class B Power Amplifiers in GaN HEMT Technology / S., X., V., P., R., C., S., K., S., H., Chini, A., U. K., M., S., L., M., R.. - (2002). (IEEE Topical Workshop on Power Amplifiers for Wireless Communications University of California, San Diego, San Diego (USA) 9-10 Sep. 2002).
High Linearity Class B Power Amplifiers in GaN HEMT Technology
CHINI, Alessandro;
2002
Abstract
The design, simulation and measurement results on a highly linear single-ended Class B PA based on GaN RF power devices have been presented.
File in questo prodotto:
| File | Dimensione | Formato | |
|---|---|---|---|
|
SXie2002PAWorkshop.ppt
Accesso riservato
Tipologia:
Altro
Dimensione
7 MB
Formato
Microsoft Powerpoint
|
7 MB | Microsoft Powerpoint | Visualizza/Apri Richiedi una copia |
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
