EnglishThe present invention relates, in general, to enhancement/ depletion Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors (PHEMTs) and, in particular, to an enhancement/depletion PHEMT device and a method for manufacturing enhancement/depletion PHEMT devices that finds advantageous, but not exclusive, application in the production of integrated circuits operating at millimetre-wave and microwave frequencies.
| Data di pubblicazione: | 31-lug-2012 |
| Data di concessione: | 2014-07-23 |
| Titolo: | Enhancement-/depletion-PHEMT device and manufacturing method thereof |
| Autore/i: | CHINI, Alessandro; Lanzieri, Claudio |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11380/1167433 |
| Enti collegati: | Selex ES SpA |
| Rilevanza: | Europeo |
| Numero di deposito: | EP2555242B1 |
| Tipologia | Brevetto |
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