The present invention relates, in general, to enhancement/ depletion Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors (PHEMTs) and, in particular, to an enhancement/depletion PHEMT device and a method for manufacturing enhancement/depletion PHEMT devices that finds advantageous, but not exclusive, application in the production of integrated circuits operating at millimetre-wave and microwave frequencies.
Enhancement-/depletion-PHEMT device and manufacturing method thereof / CHINI, Alessandro; Lanzieri, Claudio. - (2012 Jul 31).
Data di pubblicazione: | 31-lug-2012 |
Data di concessione: | 2014-07-23 |
Titolo: | Enhancement-/depletion-PHEMT device and manufacturing method thereof |
Autore/i: | CHINI, Alessandro; Lanzieri, Claudio |
Autore/i UNIMORE: | |
Handle: | http://hdl.handle.net/11380/1167433 |
Enti collegati: | Selex ES SpA |
Rilevanza: | Europeo |
Numero di deposito: | EP2555242B1 |
Tipologia | Brevetto |
File in questo prodotto:
File | Descrizione | Tipologia | |
---|---|---|---|
EP2555242B1.pdf | Versione dell'editore (versione pubblicata) | Open Access Visualizza/Apri |

I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris