By means of electron spectrosocpies, HREELS and UPS, the Electronic and Dielectric properties of the Bismuth and Antimony interfaces with GaAs(110) have been studied.

Bismuth and Antimony on GaAs(110): Dielectric and Electronic Properties / M. G., Betti; M., Pedio; DEL PENNINO, Umberto; C., Mariani. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - STAMPA. - 45:(1992), pp. 14057-14064.

Bismuth and Antimony on GaAs(110): Dielectric and Electronic Properties

DEL PENNINO, Umberto;
1992

Abstract

By means of electron spectrosocpies, HREELS and UPS, the Electronic and Dielectric properties of the Bismuth and Antimony interfaces with GaAs(110) have been studied.
1992
45
14057
14064
Bismuth and Antimony on GaAs(110): Dielectric and Electronic Properties / M. G., Betti; M., Pedio; DEL PENNINO, Umberto; C., Mariani. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - STAMPA. - 45:(1992), pp. 14057-14064.
M. G., Betti; M., Pedio; DEL PENNINO, Umberto; C., Mariani
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