A Monte Carlo approach to electron-electron scattering in silicon suitable to device analysis is presented.

Monte Carlo simulation of carrier-carrier interaction for silicon devices / A., Abramo; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; F., Venturi; E., Sangiorgi. - STAMPA. - 5:(1993), pp. 181-184. (Intervento presentato al convegno Fifth International Conference on Simulation of Semiconductor Devices and Processes tenutosi a Wien nel september 7-9, 1993).

Monte Carlo simulation of carrier-carrier interaction for silicon devices

BRUNETTI, Rossella;JACOBONI, Carlo;
1993

Abstract

A Monte Carlo approach to electron-electron scattering in silicon suitable to device analysis is presented.
1993
Fifth International Conference on Simulation of Semiconductor Devices and Processes
Wien
september 7-9, 1993
5
181
184
A., Abramo; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; F., Venturi; E., Sangiorgi
Monte Carlo simulation of carrier-carrier interaction for silicon devices / A., Abramo; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; F., Venturi; E., Sangiorgi. - STAMPA. - 5:(1993), pp. 181-184. (Intervento presentato al convegno Fifth International Conference on Simulation of Semiconductor Devices and Processes tenutosi a Wien nel september 7-9, 1993).
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/745301
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact