Unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrate both with intentionally undoped and doped structures with an extremely weak current collapse in the 50ns range have been presented. The characterization with gate-lag techniques did not shown relevant DC to RF dispersion and preliminary RF output power measurements lead to expect good RF performances.

Experimental and simulated gate lag transients in unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs / R., Pierobon; F., Rampazzo; G., Meneghesso; E., Zanoni; J., Bernat; M., Marso; P., Kordos; Basile, Alberto Francesco; Verzellesi, Giovanni. - STAMPA. - (2004). (Intervento presentato al convegno European Workshop on Heterostructure Technology tenutosi a Koutouloufari (Crete, Greece) nel Oct. 2004).

Experimental and simulated gate lag transients in unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs

BASILE, Alberto Francesco;VERZELLESI, Giovanni
2004

Abstract

Unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrate both with intentionally undoped and doped structures with an extremely weak current collapse in the 50ns range have been presented. The characterization with gate-lag techniques did not shown relevant DC to RF dispersion and preliminary RF output power measurements lead to expect good RF performances.
2004
European Workshop on Heterostructure Technology
Koutouloufari (Crete, Greece)
Oct. 2004
R., Pierobon; F., Rampazzo; G., Meneghesso; E., Zanoni; J., Bernat; M., Marso; P., Kordos; Basile, Alberto Francesco; Verzellesi, Giovanni
Experimental and simulated gate lag transients in unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs / R., Pierobon; F., Rampazzo; G., Meneghesso; E., Zanoni; J., Bernat; M., Marso; P., Kordos; Basile, Alberto Francesco; Verzellesi, Giovanni. - STAMPA. - (2004). (Intervento presentato al convegno European Workshop on Heterostructure Technology tenutosi a Koutouloufari (Crete, Greece) nel Oct. 2004).
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/467040
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact