Ab-initio calculation of low-dimensional silicon nanosystems

Electronic properties of low dimensional silicon structures / Ossicini, Stefano; Fasolino, A.; Bernardini, F.. - STAMPA. - 244:(1993), pp. 219-228. (Intervento presentato al convegno NATO ADVANCED RESEARCH WORKSHOP ON OPTICAL PROPERTIES OF LOW DIMENSIONAL SILICON STRUCTURES tenutosi a MEYLAN, FRANCE nel Spons).

Electronic properties of low dimensional silicon structures

OSSICINI, Stefano;
1993

Abstract

Ab-initio calculation of low-dimensional silicon nanosystems
1993
NATO ADVANCED RESEARCH WORKSHOP ON OPTICAL PROPERTIES OF LOW DIMENSIONAL SILICON STRUCTURES
MEYLAN, FRANCE
Spons
244
219
228
Ossicini, Stefano; Fasolino, A.; Bernardini, F.
Electronic properties of low dimensional silicon structures / Ossicini, Stefano; Fasolino, A.; Bernardini, F.. - STAMPA. - 244:(1993), pp. 219-228. (Intervento presentato al convegno NATO ADVANCED RESEARCH WORKSHOP ON OPTICAL PROPERTIES OF LOW DIMENSIONAL SILICON STRUCTURES tenutosi a MEYLAN, FRANCE nel Spons).
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/462511
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 2
social impact