Introduction. Conduction mechanisms in thin oxides. Instabilities due to contamination.

Degradation mechanisms in insulating films on Silicon / G., Baccarani; Fantini, Fausto. - STAMPA. - (1989), pp. 47-82.

Degradation mechanisms in insulating films on Silicon

FANTINI, Fausto
1989

Abstract

Introduction. Conduction mechanisms in thin oxides. Instabilities due to contamination.
1989
Microlelectronic reliability, volume II, Integrity Assessment and Assurance
0890063508
9780890063507
Artech House
SUD GEORGIA E ISOLE SANDWICH
Degradation mechanisms in insulating films on Silicon / G., Baccarani; Fantini, Fausto. - STAMPA. - (1989), pp. 47-82.
G., Baccarani; Fantini, Fausto
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/461528
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact