The design, simulation and measurement results on a highly linear single-ended Class B PA based on GaN RF power devices have been presented.
High Linearity Class B Power Amplifiers in GaN HEMT Technology / S., Xie; V., Paidi; R., Coffie; S., Keller; S., Heikman; Chini, Alessandro; U. K., Mishra; S., Long; M., Rodwell. - (2002). (Intervento presentato al convegno IEEE Topical Workshop on Power Amplifiers for Wireless Communications tenutosi a University of California, San Diego, San Diego (USA) nel 9-10 Sep. 2002).
High Linearity Class B Power Amplifiers in GaN HEMT Technology
CHINI, Alessandro;
2002
Abstract
The design, simulation and measurement results on a highly linear single-ended Class B PA based on GaN RF power devices have been presented.
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