Bias and Temperature Dependence of Gate and Substrate Currents in n-MOSFETs at Low Drain Voltage / Esseni, David; Selmi, Luca; R., Bez; Sangiorgi, Enrico; B., Ricco. - (1994), pp. 307-310. (Intervento presentato al convegno International Electron Devices Meeting (IEDM) nel dec 1994).

Bias and Temperature Dependence of Gate and Substrate Currents in n-MOSFETs at Low Drain Voltage

SELMI, Luca;
1994

1994
International Electron Devices Meeting (IEDM)
dec 1994
307
310
Esseni, David; Selmi, Luca; R., Bez; Sangiorgi, Enrico; B., Ricco
Bias and Temperature Dependence of Gate and Substrate Currents in n-MOSFETs at Low Drain Voltage / Esseni, David; Selmi, Luca; R., Bez; Sangiorgi, Enrico; B., Ricco. - (1994), pp. 307-310. (Intervento presentato al convegno International Electron Devices Meeting (IEDM) nel dec 1994).
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