Study of low field electron transport in ultra-thin single and double gate SOI MOSFETs / Esseni, David; Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico. - STAMPA. - (2002), pp. 719-722. (Intervento presentato al convegno IEEE International Electron Device Meeting nel Dec. 2002).

Study of low field electron transport in ultra-thin single and double gate SOI MOSFETs

ABRAMO, Antonio;SELMI, Luca;
2002

2002
IEEE International Electron Device Meeting
Dec. 2002
719
722
Esseni, David; Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico
Study of low field electron transport in ultra-thin single and double gate SOI MOSFETs / Esseni, David; Abramo, Antonio; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico. - STAMPA. - (2002), pp. 719-722. (Intervento presentato al convegno IEEE International Electron Device Meeting nel Dec. 2002).
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/1163272
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 32
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 28
social impact