Characterization of Transient Effects in the S-Parameters of GaAs MESFETs by means of Pulsed Measurements / Begin, M; GHANNOUCHI F., M; Beauregard, F; Selmi, Luca; Ricco, B; Borelli, V.. - (1994), pp. 639-642. (Intervento presentato al convegno ESSDERC 1994).
Characterization of Transient Effects in the S-Parameters of GaAs MESFETs by means of Pulsed Measurements
SELMI, Luca;
1994
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
