An Experimental Study of Low Field Electron Mobility in Double-Gate, Ultra-Thin SOI MOSFETs / Esseni, David; M., Mastrapasqua; C., Fiegna; G. K., Celler; Selmi, Luca; Sangiorgi, Enrico. - (2001), pp. 671-674. (Intervento presentato al convegno N/A tenutosi a N/A nel N/A) [10.1109/IEDM.2001.979536].
An Experimental Study of Low Field Electron Mobility in Double-Gate, Ultra-Thin SOI MOSFETs
SELMI, Luca;
2001
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
