A Comparative Analysis of Substrate Current Generation Mechanism in Tunneling MOS Capacitors / Palestri, P.; Pavesi, M.; Rigolli, P.; Selmi, L; DALLA SERRA, A.; Abramo, A.; Widdershoven, F.; Sangiorgi, E.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 49:(2002), pp. 1427-1427.

A Comparative Analysis of Substrate Current Generation Mechanism in Tunneling MOS Capacitors

SELMI L;
2002-01-01

49
1427
1427
A Comparative Analysis of Substrate Current Generation Mechanism in Tunneling MOS Capacitors / Palestri, P.; Pavesi, M.; Rigolli, P.; Selmi, L; DALLA SERRA, A.; Abramo, A.; Widdershoven, F.; Sangiorgi, E.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 49:(2002), pp. 1427-1427.
Palestri, P.; Pavesi, M.; Rigolli, P.; Selmi, L; DALLA SERRA, A.; Abramo, A.; Widdershoven, F.; Sangiorgi, E.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Caricamento pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/1163158
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 10
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact