EnglishA Comparative Analysis of Substrate Current Generation Mechanism in Tunneling MOS Capacitors / Palestri, P.; Pavesi, M.; Rigolli, P.; Selmi, L; DALLA SERRA, A.; Abramo, A.; Widdershoven, F.; Sangiorgi, E.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 49(2002), pp. 1427-1427.
| Data di pubblicazione: | 2002 |
| Titolo: | A Comparative Analysis of Substrate Current Generation Mechanism in Tunneling MOS Capacitors |
| Autore/i: | Palestri, P.; Pavesi, M.; Rigolli, P.; Selmi, L; DALLA SERRA, A.; Abramo, A.; Widdershoven, F.; Sangiorgi, E. |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 49 |
| Pagina iniziale: | 1427 |
| Pagina finale: | 1427 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0036685464 |
| Citazione: | A Comparative Analysis of Substrate Current Generation Mechanism in Tunneling MOS Capacitors / Palestri, P.; Pavesi, M.; Rigolli, P.; Selmi, L; DALLA SERRA, A.; Abramo, A.; Widdershoven, F.; Sangiorgi, E.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 49(2002), pp. 1427-1427. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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