Quantitative Assesment of mobility degradation by Remote Coulomb Scattering in Ultra-thin oxide MOSFETs: measurement and simulations / Lucci, Luca; Esseni, David; J., Loo; Y., Ponomarev; Selmi, Luca; Abramo, Antonio; Sangiorgi, Enrico. - (2003), pp. 463-466. (Intervento presentato al convegno IEEE International Electron Device Meeting tenutosi a Washington DC nel Dec.2003).
Quantitative Assesment of mobility degradation by Remote Coulomb Scattering in Ultra-thin oxide MOSFETs: measurement and simulations
SELMI, Luca;ABRAMO, Antonio;
2003
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
