Electron Injection in the Gate Oxide of MOS Structures at Liquid Nitrogen Temperature: Measurement and Simulation / Fischer, B; Selmi, Luca; Ghetti, A; Sangiorgi, Enrico. - In: JOURNAL DE PHYSIQUE IV. - ISSN 1155-4339. - 6:4(1996), pp. 19-24.

Electron Injection in the Gate Oxide of MOS Structures at Liquid Nitrogen Temperature: Measurement and Simulation

SELMI, Luca;
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Electron Injection in the Gate Oxide of MOS Structures at Liquid Nitrogen Temperature: Measurement and Simulation / Fischer, B; Selmi, Luca; Ghetti, A; Sangiorgi, Enrico. - In: JOURNAL DE PHYSIQUE IV. - ISSN 1155-4339. - 6:4(1996), pp. 19-24.
Fischer, B; Selmi, Luca; Ghetti, A; Sangiorgi, Enrico
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