Validity of the parabolic effective mass approximation in silicon and germanium n-MOSFETs with different crystal orientations / J. L. P. J., van der Steen; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; R. J. E., Hueting. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 54:8(2007), pp. 1843-1851. [10.1109/TED.2007.900417]

Validity of the parabolic effective mass approximation in silicon and germanium n-MOSFETs with different crystal orientations

PALESTRI, Pierpaolo;SELMI, Luca;
2007
2007
54
8
1843
1851
WOS:000248390600006
2-s2.0-34547915647
Validity of the parabolic effective mass approximation in silicon and germanium n-MOSFETs with different crystal orientations / J. L. P. J., van der Steen; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; R. J. E., Hueting. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 54:8(2007), pp. 1843-1851. [10.1109/TED.2007.900417]
J. L. P. J., van der Steen; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca; R. J. E., Hueting
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