The degradation mechanisms induced in GaN-based HEMTs when reverse gate-bias stress are applied have been presented and discussed.
GaN Hemt Degradation induced by Reverse Gate Bias Stress / Meneghesso, G.; Meneghini, M.; Tazzoli, A.; Ronchi, N.; Stocco, A.; Zanoni, E.; DI LECCE, Valerio; Esposto, Michele; Chini, Alessandro. - (2009), pp. 945-946. (Intervento presentato al convegno The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009) tenutosi a Jeju Island (ICC Jeju), Korea nel 18 -23 October 2009.).
GaN Hemt Degradation induced by Reverse Gate Bias Stress
DI LECCE, Valerio;ESPOSTO, Michele;CHINI, Alessandro
2009
Abstract
The degradation mechanisms induced in GaN-based HEMTs when reverse gate-bias stress are applied have been presented and discussed.
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