The experimentally observed DC and rf degradation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors has been analyzed and discussed by means of pulsed measurements and spectroscopic techniques.

Analysis of DC and rf degradation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors based on pulsed measurements and spectroscopic techniques / Zanoni, E.; Chini, Alessandro; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, F.; Ronchi, N.; Tazzoli, A.; Verzellesi, Giovanni; Meneghesso, G.. - (2010). (Intervento presentato al convegno 5th Space Agency – MOD Round Table Workshop on GaN Component Technologies tenutosi a Noordwijk (The Netherlands) nel 2-3 September 2010).

Analysis of DC and rf degradation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors based on pulsed measurements and spectroscopic techniques

CHINI, Alessandro;VERZELLESI, Giovanni;
2010

Abstract

The experimentally observed DC and rf degradation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors has been analyzed and discussed by means of pulsed measurements and spectroscopic techniques.
2010
5th Space Agency – MOD Round Table Workshop on GaN Component Technologies
Noordwijk (The Netherlands)
2-3 September 2010
Zanoni, E.; Chini, Alessandro; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, F.; Ronchi, N.; Tazzoli, A.; Verzellesi, Giovanni; Meneghesso, G.
Analysis of DC and rf degradation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors based on pulsed measurements and spectroscopic techniques / Zanoni, E.; Chini, Alessandro; Stocco, A.; Rossetto, I.; Meneghini, M.; Rampazzo, F.; Ronchi, N.; Tazzoli, A.; Verzellesi, Giovanni; Meneghesso, G.. - (2010). (Intervento presentato al convegno 5th Space Agency – MOD Round Table Workshop on GaN Component Technologies tenutosi a Noordwijk (The Netherlands) nel 2-3 September 2010).
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/1109074
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