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	Titolo	Data di pubblicazione	Autore(i)
1	Effect of the Coulomb interaction on the electron relaxation of weakly-confined quantum dot systems using the full configuration interaction approach	2006	J. I., Climente; Bertoni, Andrea; Rontani, Massimo; Goldoni, Guido; Molinari, Elisa
2	Role of interface region on the optoelectronic properties of silicon nanocrystals embedded in SiO2	2003	N., Daldosso; M., Luppi; Ossicini, Stefano; Degoli, Elena; Magri, Rita; G., Dalba; P., Fornasini; R. Grisenti, F. Rocca; L., Pavesi; S. Boninelli, F. Priolo; C., Spinella; F., Iacona
3	Three-Body Scattering Theory of Correlated Hole and Electron States	1994	CALANDRA BUONAURA, Carlo; MANGHI, Franca
4	High-Finesse Optical Quantum Gates for Electron Spins in Artificial Molecules	2003	TROIANI, Filippo; U., HOHENESTER; MOLINARI, Elisa
5	Electron-Hole Localization in Coupled Quantum Dots	2002	Troiani, Filippo; U., Hohenester; Molinari, Elisa
6	Imaging quasi-particle wavefunctions in quantum dots in via tunneling spectroscopy	2005	Rontani, Massimo; Molinari, Elisa
7	Dynamical-charge neutrality at a crystal surface	1998	Ruini, Alice; Resta, R.; AND BARONI, S.
8	Tailoring the electronic properties of silicon with cysteine: A first principle study	2005	Cucinotta, C. S.; Ruini, Alice; Catellani, A.; Caldas, M. J.
9	Image force effects in the barrier height for metal-metal tunneling electrons	1987	OSSICINI, Stefano; BERTONI, Carlo Maria
10	Interaction potentials between rare gas atoms and metal surfaces	1986	OSSICINI, Stefano