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A scaled replacement metal gate InGaAs-on-Insulator n-FinFET on Si with record performance
2017 Hahn, H.; Deshpande, V.; Caruso, E.; Sant, S.; O'Connor, E.; Baumgartner, Y.; Sousa, M.; Caimi, D.; Olziersky, A.; Palestri, P.; Selmi, L.; Schenk, A.; Czornomaz, L.
A simulation study of strain induced performance enhancements in InAs nanowire Tunnel-FETs
2011 Conzatti, Francesco; M. G., Pala; Esseni, David; E., Bano; Selmi, Luca
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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A scaled replacement metal gate InGaAs-on-Insulator n-FinFET on Si with record performance | 1-gen-2017 | Hahn, H.; Deshpande, V.; Caruso, E.; Sant, S.; O'Connor, E.; Baumgartner, Y.; Sousa, M.; Caimi, D.; Olziersky, A.; Palestri, P.; Selmi, L.; Schenk, A.; Czornomaz, L. | |
A simulation study of strain induced performance enhancements in InAs nanowire Tunnel-FETs | 1-gen-2011 | Conzatti, Francesco; M. G., Pala; Esseni, David; E., Bano; Selmi, Luca |
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