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On the RESET-SET transition in Phase Change Memories
2008 G., Puzzilli; F., Irrera; Padovani, Andrea; Pavan, Paolo; Larcher, Luca; A., Arya; DELLA MARCA, Vincenzo; A., Pirovano
Charge trapping in alumina and its impact on the operation of metal-alumina-nitride-oxide-silicon memories: experiments and simulations
2011 Padovani, Andrea; Larcher, Luca; DELLA MARCA, Vincenzo; Pavan, Paolo; H., Park; G., Bersuker
Investigation of I-V linearity in TaO x -Based RRAM devices for neuromorphic applications
2019 Sung, C.; Padovani, A.; Beltrando, B.; Lee, D.; Kwak, M.; Lim, S.; Larcher, L.; Della Marca, V.; Hwang, H.
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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On the RESET-SET transition in Phase Change Memories | 1-gen-2008 | G., Puzzilli; F., Irrera; Padovani, Andrea; Pavan, Paolo; Larcher, Luca; A., Arya; DELLA MARCA, Vincenzo; A., Pirovano | |
Charge trapping in alumina and its impact on the operation of metal-alumina-nitride-oxide-silicon memories: experiments and simulations | 1-gen-2011 | Padovani, Andrea; Larcher, Luca; DELLA MARCA, Vincenzo; Pavan, Paolo; H., Park; G., Bersuker | |
Investigation of I-V linearity in TaO x -Based RRAM devices for neuromorphic applications | 1-gen-2019 | Sung, C.; Padovani, A.; Beltrando, B.; Lee, D.; Kwak, M.; Lim, S.; Larcher, L.; Della Marca, V.; Hwang, H. |
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