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Diagnosis of trapping phenomena in GaN MESFETs 1-gen-2000 Meneghesso, G; Chini, Alessandro; Zanoni, E.; Manfredi, M.; Pavesi, M.; Boudart, B.; Gaquiere, C.
Hole impact ionization coefficient in (100)-oriented In0.53Ga0.47As based on PNP InAlAs/InGaAs HBT's 1-gen-2000 Buttari, D; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sawdai, D.; Pavlidis, D.; Hsu, S. S. H.
Parasitic effects and long term stability of InP-based HEMTs 1-gen-2000 Meneghesso, G.; Luise, R.; Buttari, D.; Chini, Alessandro; Yokoyama, H.; Suemitsu, T.; Zanoni, E.
Trap-related effects in 6H-SiC buried-gate JFETs 1-gen-2001 G., Meneghesso; Chini, Alessandro; E., Zanoni; Verzellesi, Giovanni; Tediosi, Erika; Canali, Claudio; A., Cavallini; A., Castaldini
Influence of surface-trap dynamics on impact-ionization and kink phenomena in AlGaAs/GaAs HFETs 1-gen-2001 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; Chini, Alessandro; G., Meneghesso; E., Zanoni; C., Lanzieri
Measurements of the InGaAs hole impact ionization coefficient in InAlAs/InGaAs pnp HBTs 1-gen-2001 Buttari, D.; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sawdai, D.; Pavlidis, D.; Hsu, S. S. H.
Dependence of impact ionization and kink on surface-deep-level dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs 1-gen-2001 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Vicini, L.; Canali, Claudio; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Lanzieri, C.
Electrostatic Discharge and electrical overstress on GaN/InGaN Light Emitting Diodes 1-gen-2001 Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Maschietto, A.; Zanoni, E.; Malberti, P.; Ciappa, M.
Long Term Stability of InGaAs/AlInAs/GaAs Methamorphic HEMTs 1-gen-2001 Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Zanoni, E.
Trap characterization in buried-gate n-channel 6H-SiC JFETs 1-gen-2001 Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Cavallini, A.; Canali, Claudio; Zanoni, E.
p-Gan cap layer for dispersion control in AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2002 Robert, Coffie; Stacia, Keller; Lee, Mccarthy; Chini, Alessandro; Dario, Buttari; Sten, Heikman; Likun, Shen; Umesh K., Mishra
Dry-Etch gate recessing in AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2002 D., Buttari; Chini, Alessandro; S., Heikman; L., Mccarthy; A., Chakraborty; S., Keller; S. P., Denbaars; U. K., Mishra
Experimental/numerical investigation on current collapse in AlGaN/GaN HEMT’s 1-gen-2002 Verzellesi, Giovanni; Pierobon, R.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Mishra, U. K.; Canali, Claudio; Zanoni, E.
Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for improved ohmics in AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2002 Buttari, D.; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Moran, B.; Heikman, S.; Zhang, N. Q.; Shen, L.; Coffie, R.; Denbaars, S. P.; Mishra, U. K.
p-capped GaN-AlGaN-GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) 1-gen-2002 Coffie, R.; Buttari, D.; Heikman, S.; Keller, S.; Chini, Alessandro; Shen, L.; Mishra, U. K.
Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for gate recessing in AlGaN/GaN HEMTs 1-gen-2002 Buttari, D.; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Chavarkar, P.; Coffie, R.; Zhang, N. Q.; Heikman, S.; Shen, L.; Xing, H.; Zheng, C.; Mishra, U. K.
Characterization of GaN-based metal--semiconductor field-effect transistors by comparing electroluminescence, photoionization, and cathodoluminescence spectroscopies 1-gen-2002 Armani, N.; Grillo, V.; Salviati, G.; Manfredi, M.; Pavesi, M.; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
P-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors 1-gen-2002 Coffie, R.; Heikman, S.; Buttari, D.; Keller, S.; Chini, Alessandro; Shen, L.; Zhang, N.; Jimenez, A.; Jena, D.; Mishra, U. K.
High Linearity Class B Power Amplifiers in GaN HEMT Technology 1-gen-2002 S., Xie; V., Paidi; R., Coffie; S., Keller; S., Heikman; Chini, Alessandro; U. K., Mishra; S., Long; M., Rodwell
Current collapse in AlGaN/GaN HEMT’s analysed by means of 2d device simulation 1-gen-2003 Meneghesso, G.; Verzellesi, Giovanni; Pierobon, R.; Rampazzo, F.; Chini, Alessandro; Canali, Claudio; Zanoni, E.
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