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Diagnosis of trapping phenomena in GaN MESFETs
2000 Meneghesso, G; Chini, Alessandro; Zanoni, E.; Manfredi, M.; Pavesi, M.; Boudart, B.; Gaquiere, C.
Parasitic effects and long term stability of InP-based HEMTs
2000 Meneghesso, G.; Luise, R.; Buttari, D.; Chini, Alessandro; Yokoyama, H.; Suemitsu, T.; Zanoni, E.
Hole impact ionization coefficient in (100)-oriented In0.53Ga0.47As based on PNP InAlAs/InGaAs HBT's
2000 Buttari, D; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sawdai, D.; Pavlidis, D.; Hsu, S. S. H.
Trap-related effects in 6H-SiC buried-gate JFETs
2001 G., Meneghesso; Chini, Alessandro; E., Zanoni; Verzellesi, Giovanni; Tediosi, Erika; Canali, Claudio; A., Cavallini; A., Castaldini
Influence of surface-trap dynamics on impact-ionization and kink phenomena in AlGaAs/GaAs HFETs
2001 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; Chini, Alessandro; G., Meneghesso; E., Zanoni; C., Lanzieri
Measurements of the InGaAs hole impact ionization coefficient in InAlAs/InGaAs pnp HBTs
2001 Buttari, D.; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sawdai, D.; Pavlidis, D.; Hsu, S. S. H.
Dependence of impact ionization and kink on surface-deep-level dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs
2001 Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Vicini, L.; Canali, Claudio; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Lanzieri, C.
Electrostatic Discharge and electrical overstress on GaN/InGaN Light Emitting Diodes
2001 Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Maschietto, A.; Zanoni, E.; Malberti, P.; Ciappa, M.
Long Term Stability of InGaAs/AlInAs/GaAs Methamorphic HEMTs
2001 Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Zanoni, E.
Trap characterization in buried-gate n-channel 6H-SiC JFETs
2001 Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Cavallini, A.; Canali, Claudio; Zanoni, E.
p-Gan cap layer for dispersion control in AlGaN/GaN HEMTs
2002 Robert, Coffie; Stacia, Keller; Lee, Mccarthy; Chini, Alessandro; Dario, Buttari; Sten, Heikman; Likun, Shen; Umesh K., Mishra
Dry-Etch gate recessing in AlGaN/GaN HEMTs
2002 D., Buttari; Chini, Alessandro; S., Heikman; L., Mccarthy; A., Chakraborty; S., Keller; S. P., Denbaars; U. K., Mishra
Experimental/numerical investigation on current collapse in AlGaN/GaN HEMT’s
2002 Verzellesi, Giovanni; Pierobon, R.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Mishra, U. K.; Canali, Claudio; Zanoni, E.
Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for improved ohmics in AlGaN/GaN HEMTs
2002 Buttari, D.; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Moran, B.; Heikman, S.; Zhang, N. Q.; Shen, L.; Coffie, R.; Denbaars, S. P.; Mishra, U. K.
p-capped GaN-AlGaN-GaN high-electron mobility transistors (HEMTs)
2002 Coffie, R.; Buttari, D.; Heikman, S.; Keller, S.; Chini, Alessandro; Shen, L.; Mishra, U. K.
Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for gate recessing in AlGaN/GaN HEMTs
2002 Buttari, D.; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Chavarkar, P.; Coffie, R.; Zhang, N. Q.; Heikman, S.; Shen, L.; Xing, H.; Zheng, C.; Mishra, U. K.
Characterization of GaN-based metal--semiconductor field-effect transistors by comparing electroluminescence, photoionization, and cathodoluminescence spectroscopies
2002 Armani, N.; Grillo, V.; Salviati, G.; Manfredi, M.; Pavesi, M.; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
P-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors
2002 Coffie, R.; Heikman, S.; Buttari, D.; Keller, S.; Chini, Alessandro; Shen, L.; Zhang, N.; Jimenez, A.; Jena, D.; Mishra, U. K.
High Linearity Class B Power Amplifiers in GaN HEMT Technology
2002 S., Xie; V., Paidi; R., Coffie; S., Keller; S., Heikman; Chini, Alessandro; U. K., Mishra; S., Long; M., Rodwell
Current collapse in AlGaN/GaN HEMT’s analysed by means of 2d device simulation
2003 Meneghesso, G.; Verzellesi, Giovanni; Pierobon, R.; Rampazzo, F.; Chini, Alessandro; Canali, Claudio; Zanoni, E.
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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Diagnosis of trapping phenomena in GaN MESFETs | 1-gen-2000 | Meneghesso, G; Chini, Alessandro; Zanoni, E.; Manfredi, M.; Pavesi, M.; Boudart, B.; Gaquiere, C. | |
Parasitic effects and long term stability of InP-based HEMTs | 1-gen-2000 | Meneghesso, G.; Luise, R.; Buttari, D.; Chini, Alessandro; Yokoyama, H.; Suemitsu, T.; Zanoni, E. | |
Hole impact ionization coefficient in (100)-oriented In0.53Ga0.47As based on PNP InAlAs/InGaAs HBT's | 1-gen-2000 | Buttari, D; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sawdai, D.; Pavlidis, D.; Hsu, S. S. H. | |
Trap-related effects in 6H-SiC buried-gate JFETs | 1-gen-2001 | G., Meneghesso; Chini, Alessandro; E., Zanoni; Verzellesi, Giovanni; Tediosi, Erika; Canali, Claudio; A., Cavallini; A., Castaldini | |
Influence of surface-trap dynamics on impact-ionization and kink phenomena in AlGaAs/GaAs HFETs | 1-gen-2001 | Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Canali, Claudio; Chini, Alessandro; G., Meneghesso; E., Zanoni; C., Lanzieri | |
Measurements of the InGaAs hole impact ionization coefficient in InAlAs/InGaAs pnp HBTs | 1-gen-2001 | Buttari, D.; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sawdai, D.; Pavlidis, D.; Hsu, S. S. H. | |
Dependence of impact ionization and kink on surface-deep-level dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs | 1-gen-2001 | Mazzanti, Andrea; Verzellesi, Giovanni; Vicini, L.; Canali, Claudio; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Lanzieri, C. | |
Electrostatic Discharge and electrical overstress on GaN/InGaN Light Emitting Diodes | 1-gen-2001 | Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Maschietto, A.; Zanoni, E.; Malberti, P.; Ciappa, M. | |
Long Term Stability of InGaAs/AlInAs/GaAs Methamorphic HEMTs | 1-gen-2001 | Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Zanoni, E. | |
Trap characterization in buried-gate n-channel 6H-SiC JFETs | 1-gen-2001 | Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni; Cavallini, A.; Canali, Claudio; Zanoni, E. | |
p-Gan cap layer for dispersion control in AlGaN/GaN HEMTs | 1-gen-2002 | Robert, Coffie; Stacia, Keller; Lee, Mccarthy; Chini, Alessandro; Dario, Buttari; Sten, Heikman; Likun, Shen; Umesh K., Mishra | |
Dry-Etch gate recessing in AlGaN/GaN HEMTs | 1-gen-2002 | D., Buttari; Chini, Alessandro; S., Heikman; L., Mccarthy; A., Chakraborty; S., Keller; S. P., Denbaars; U. K., Mishra | |
Experimental/numerical investigation on current collapse in AlGaN/GaN HEMT’s | 1-gen-2002 | Verzellesi, Giovanni; Pierobon, R.; Rampazzo, F.; Meneghesso, G.; Chini, Alessandro; Mishra, U. K.; Canali, Claudio; Zanoni, E. | |
Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for improved ohmics in AlGaN/GaN HEMTs | 1-gen-2002 | Buttari, D.; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Moran, B.; Heikman, S.; Zhang, N. Q.; Shen, L.; Coffie, R.; Denbaars, S. P.; Mishra, U. K. | |
p-capped GaN-AlGaN-GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) | 1-gen-2002 | Coffie, R.; Buttari, D.; Heikman, S.; Keller, S.; Chini, Alessandro; Shen, L.; Mishra, U. K. | |
Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for gate recessing in AlGaN/GaN HEMTs | 1-gen-2002 | Buttari, D.; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Chavarkar, P.; Coffie, R.; Zhang, N. Q.; Heikman, S.; Shen, L.; Xing, H.; Zheng, C.; Mishra, U. K. | |
Characterization of GaN-based metal--semiconductor field-effect transistors by comparing electroluminescence, photoionization, and cathodoluminescence spectroscopies | 1-gen-2002 | Armani, N.; Grillo, V.; Salviati, G.; Manfredi, M.; Pavesi, M.; Chini, Alessandro; Meneghesso, G.; Zanoni, E. | |
P-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors | 1-gen-2002 | Coffie, R.; Heikman, S.; Buttari, D.; Keller, S.; Chini, Alessandro; Shen, L.; Zhang, N.; Jimenez, A.; Jena, D.; Mishra, U. K. | |
High Linearity Class B Power Amplifiers in GaN HEMT Technology | 1-gen-2002 | S., Xie; V., Paidi; R., Coffie; S., Keller; S., Heikman; Chini, Alessandro; U. K., Mishra; S., Long; M., Rodwell | |
Current collapse in AlGaN/GaN HEMT’s analysed by means of 2d device simulation | 1-gen-2003 | Meneghesso, G.; Verzellesi, Giovanni; Pierobon, R.; Rampazzo, F.; Chini, Alessandro; Canali, Claudio; Zanoni, E. |
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