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Explanation of current crowding phenomena induced by impact ionization in advanced Si bipolar transistors by means of electrical measurements and light emission microscopy 1-gen-1993 Pavan, P.; Vendrame, L.; Bigliardi, S.; Marty, A.; Chantre, A.; Zanoni, E.
Measurements of avalanche effects and light emission in advanced Si and SiGe bipolar transistors 1-gen-1993 Zanoni, E.; Bigliardi, S.; Pavan, P.; Pisoni, P.; Canali, C.
Impact ionization phenomena in AlGaAs/GaAs HBTs 1-gen-1993 Di Carlo, A.; Lugli, P.; Pavan, P.; Zanoni, E.; Malik, R.
Characterization of CMOS Structures (O.6 urn process) Submitted to HBM and COM ESD Stress Tests 1-gen-1997 Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Colombo, P.; Brambilla, M.; Annunziata, R.; Pavan, P.
Defect-related tunneling contributions to subthreshold forward current in GaN-based LEDs 1-gen-2015 Mandurrino, M.; Verzellesi, G.; Goano, M.; Dominici, S.; Bertazzi, F.; Ghione, G.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Microwave and millimeter-wave GaN HEMTs: impact of epitaxial structure on short-channel effects, electron trapping and reliability 1-gen-2023 Zanoni, Enrico; Gao, Zhan; Fornasier, Mirko; Saro, Marco; Rampazzo, Fabiana; De Santi, Carlo; Meneghesso, Gaudenzio; Meneghini, Matteo; Cioni, Marcello; Zagni, Nicolo'; Chini, Alessandro; Verzellesi, Giovanni
Experimental and Numerical Analysis of OFFState Bias Induced Instabilities in Vertical GaNon-Si Trench MOSFETs 1-gen-2024 Zagni, N.; Fregolent, M.; Verzellesi, G.; Bergamin, F.; Favero, D.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Huber, C.; Meneghini, M.; Pavan, P.
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